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STD65N3LLH5、STU65N3LLH5、STP120NH03L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 STP120NH03L

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 VIPAK N-CH 30V 65AN沟道30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 50 W 50W (Tc) 110W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 65A 60A

上升时间 11.2 ns 11.2 ns -

输入电容(Ciss) 1290pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds) 4100pF @25V(Vds)

下降时间 6 ns 6 ns -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0061 Ω - -

阈值电压 1.8 V - -

额定功率(Max) 50 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free