STU65N3LLH5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 65A
上升时间 11.2 ns
输入电容Ciss 1290pF @25VVds
下降时间 6 ns
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STU65N3LLH5引脚图与封装图
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在线购买STU65N3LLH5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STU65N3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | IPAK N-CH 30V 65A | 搜索库存 |
替代型号STU65N3LLH5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STU65N3LLH5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： IPAK-3 N-CH 30V 65A | 当前型号 | IPAK N-CH 30V 65A | 当前型号 |
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