STP120NH03L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60A
输入电容Ciss 4100pF @25VVds
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP120NH03L引脚图与封装图
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在线购买STP120NH03L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP120NH03L | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion | 搜索库存 |
替代型号STP120NH03L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP120NH03L 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 30V 60A | 当前型号 | N沟道30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion | 当前型号 |
| 型号： STD100NH03L 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-CH 30V 60A | 类似代替 | N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A DPAK STripFET⑩ III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET | STP120NH03L和STD100NH03L的区别 |
| 型号： STD65N3LLH5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 V | STP120NH03L和STD65N3LLH5的区别 |
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