SI3483CDV-T1-E3、SI3483CDV-T1-GE3对比区别
型号 SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-GE3
描述 VISHAY SI3483CDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 VVISHAY SI3483CDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP TSOP-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.027 Ω 0.027 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 4.2 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) -8.00 A -6.10 A
输入电容(Ciss) 1000pF @15V(Vds) 1000pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 4.2 W
高度 1 mm 1 mm
封装 TSOP TSOP-6
长度 - 3.1 mm
宽度 - 1.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99