SI3483CDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -8.00 A
输入电容Ciss 1000pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI3483CDV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3483CDV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3483CDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |
替代型号SI3483CDV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3483CDV-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP P-Channel 30V 8A | 当前型号 | VISHAY SI3483CDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V | 当前型号 |
| 型号： SI3483CDV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TSOP P-Channel -30V -6.1A | 功能相似 | VISHAY SI3483CDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V | SI3483CDV-T1-E3和SI3483CDV-T1-GE3的区别 |