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DTC114GUAT106、PDTC114TU,115、MUN5215T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114GUAT106 PDTC114TU,115 MUN5215T1G

描述 ROHM  DTC114GUAT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 30 hFENXP  PDTC114TU,115  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  MUN5215T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-323

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 200 mW 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 200 @1mA, 5V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 202 mW

直流电流增益(hFE) 30 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 310 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

额定功率 0.2 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 30 - -

增益带宽 250 MHz - -

无卤素状态 - - Halogen Free

高度 0.8 mm 1 mm 0.85 mm

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

长度 2 mm - 2.2 mm

宽度 1.25 mm - 1.24 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99