PDTC114TU,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PDTC114TU,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTC114TU,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PDTC114TU,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC114TU,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTC114TU,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTC114TU,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC114TU,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-323 NPN 200mW | 当前型号 | NXP PDTC114TU,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTC114TUT/R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 50V 100mA | 类似代替 | TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | PDTC114TU,115和PDTC114TUT/R的区别 |
| 型号： MUN5215T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5215T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-323 | PDTC114TU,115和MUN5215T1G的区别 |