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PMBT6429、PMBT6429,215、PMBT6429TRL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBT6429 PMBT6429,215 PMBT6429TRL

描述 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsPMBT6429 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 250 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 500 500 @100µA, 5V -

直流电流增益(hFE) 500 500 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

频率 - 700 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 500 @0.1mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1 mm - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -