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PMBT6429
NXP 恩智浦 主动器件

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 55V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 700MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 1250

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~600mV

耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W

Description & Applications| FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 50 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package.

描述与应用| 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大50 V)。 应用 •通用开关和放大 •专业的电话和通信设备。 说明 NPN在SOT23塑料包装。

PMBT6429中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 500

直流电流增益hFE 500

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMBT6429引脚图与封装图
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PMBT6429 NXP 恩智浦 NPN 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
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型号: PMBT6429

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23/SC-59 NPN

当前型号

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: PMBT6429,215

品牌: 恩智浦

封装: TO23-6AB NPN 250mW

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