SPA07N60C3、SPP07N60C3、STW45NM50FD对比区别

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型号 SPA07N60C3 SPP07N60C3 STW45NM50FD

描述 INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP07N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 650 V 650 V 500 V

额定电流 7.30 A 7.30 A 45.0 A

额定功率 32 W - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 32 W 83 W 417 W

阈值电压 3 V 3 V 4 V

输入电容 790 pF - -

栅电荷 27.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.30 A 45.0 A

上升时间 3.5 ns 3.5 ns 107.5 ns

输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 32 W 83 W 417 W

下降时间 7 ns 7 ns 87.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 32W (Tc) - 417W (Tc)

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 10.65 mm 10 mm 15.75 mm

宽度 4.85 mm 4.4 mm 5.15 mm

高度 9.83 mm 15.65 mm 20.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -