FQP44N10、STP30NF10、FQP44N10F对比区别

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型号 FQP44N10 STP30NF10 FQP44N10F

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 43.5 A 35.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.03 Ω 0.045 Ω 39.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 146 W 115 W 146W (Tc)

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 43.5 A 35.0 A 43.5 A

上升时间 190 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 146 W 115 W 146 W

下降时间 100 ns 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 146W (Tc) 115W (Tc) 146W (Tc)

额定功率 - 115 W -

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99