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IRFS4410ZPBF、IRFS4410ZTRLPBF、SUM110N10-09-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4410ZPBF IRFS4410ZTRLPBF SUM110N10-09-E3

描述 INFINEON  IRFS4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 7.2 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY  SUM110N10-09-E3.  场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0072 Ω 0.0072 Ω 0.0095 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 230 W 230 W 437.5 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 97A 97A 110 A

上升时间 - 52 ns 125 ns

下降时间 - 57 ns 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 230 W 230 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) -

额定功率 230 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 11.3 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -