针脚数 3
漏源极电阻 0.0072 Ω
极性 N-CH
耗散功率 230 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 97A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 4820pF @50VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.3 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Operated Drive
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFS4410ZTRLPBF | Infineon 英飞凌 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFS4410ZTRLPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 97A | 当前型号 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 | |
型号: IRFS4410ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 97A | 完全替代 | INFINEON IRFS4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 7.2 mohm, 10 V, 4 V | IRFS4410ZTRLPBF和IRFS4410ZPBF的区别 | |
型号: IRF2807STRRPBF 品牌: 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 75V 82A | 类似代替 | D2PAK N-CH 75V 82A | IRFS4410ZTRLPBF和IRF2807STRRPBF的区别 | |
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