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SUM110N10-09-E3

SUM110N10-09-E3

数据手册.pdf
SUM110N10-09-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 437.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 110 A

上升时间 125 ns

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SUM110N10-09-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUM110N10-09-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SUM110N10-09-E3.  场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263 搜索库存
替代型号SUM110N10-09-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SUM110N10-09-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-263 N-Channel 100V 110A

当前型号

VISHAY  SUM110N10-09-E3.  场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263

当前型号

型号: IRFS4310PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 130A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

SUM110N10-09-E3和IRFS4310PBF的区别

型号: BUK7613-100E

品牌: 恩智浦

封装: TO-263 N-Channel 100V 72A

功能相似

NXP  BUK7613-100E  晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 0.0102 ohm, 10 V, 3 V

SUM110N10-09-E3和BUK7613-100E的区别