![SUM110N10-09-E3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_348/chanpintu/sum110n10-09-e3-PgzyrfkG-1jxNWl2qM.png)
针脚数 3
漏源极电阻 0.0095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 437.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 125 ns
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-263
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUM110N10-09-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUM110N10-09-E3. 场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SUM110N10-09-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TO-263 N-Channel 100V 110A | 当前型号 | VISHAY SUM110N10-09-E3. 场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263 | 当前型号 | |
型号: IRFS4310PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 130A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | SUM110N10-09-E3和IRFS4310PBF的区别 | |
型号: BUK7613-100E 品牌: 恩智浦 封装: TO-263 N-Channel 100V 72A | 功能相似 | NXP BUK7613-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 0.0102 ohm, 10 V, 3 V | SUM110N10-09-E3和BUK7613-100E的区别 |