MJD45H11-001、MJD45H11-001G、MJD45H11-1G对比区别

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型号 MJD45H11-001 MJD45H11-001G MJD45H11-1G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsPNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

频率 - 90 MHz 90 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 20 W 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -8.00 A - -8.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V - 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W

直流电流增益(hFE) - - 60

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 2.38 mm - 2.38 mm

高度 6.35 mm - 6.22 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99