MJD45H11-001中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.35 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD45H11-001引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD45H11-001
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD45H11-001 | ON Semiconductor 安森美 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJD45H11-001
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD45H11-001 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： IPAK PNP -80V -8A | 当前型号 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJD45H11-1G 品牌： 安森美 封装： IPAK-4 PNP -80V -8A 1750mW | 完全替代 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MJD45H11-001和MJD45H11-1G的区别 |
| 型号： MJD45H11-001G 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD45H11-001和MJD45H11-001G的区别 |
| 型号： KSH45H11ITU 品牌： 飞兆/仙童 封装： IPAK PNP -80V -8A 1750mW | 功能相似 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | MJD45H11-001和KSH45H11ITU的区别 |