BC182BG、BC182BRL1G、BC182B对比区别
描述 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier TransistorsNPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - - 350 mW
增益频宽积 - - 150 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V 40 @10µA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 350 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 350 mW 350 mW
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Box Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2013/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99