BC182BRL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC182BRL1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC182BRL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC182BRL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号BC182BRL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC182BRL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC182B 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors | BC182BRL1G和BC182B的区别 |
| 型号： BC182BRL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | TO-92 NPN 50V 0.1A | BC182BRL1G和BC182BRL1的区别 |
| 型号： BC182BG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors | BC182BRL1G和BC182BG的区别 |