BD439、BD439G、2N5191G对比区别

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型号 BD439 BD439G 2N5191G

描述 STMICROELECTRONICS  BD439  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN TransistorON SEMICONDUCTOR  2N5191G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-32 TO-225-3 TO-126-3

频率 - 3 MHz 2 MHz

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 4.00 A 4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 36 W 36 W 40 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 25 40 @500mA, 1V 25 @1.5A, 2V

额定功率(Max) - 36 W 40 W

直流电流增益(hFE) 140 20 2

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 40000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 100

长度 - 7.74 mm -

宽度 - 2.66 mm -

高度 - 11.04 mm -

封装 SOT-32 TO-225-3 TO-126-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99