IPD90R1K2C3、IPD90R1K2C3ATMA1、IPD78CN10NGATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPD90R1K2C3 IPD90R1K2C3ATMA1 IPD78CN10NGATMA1

描述 INFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPD90R1K2C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 83 W 83 W 31 W

通道数 1 1 1

漏源极电阻 1.2 Ω 1.2 Ω 0.059 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 83 W 31 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

输入电容 - - 538 pF

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.10 A 5.1A 13A

上升时间 20 ns 20 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 710pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds) 716pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 83 W 31 W

下降时间 40 ns 40 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 31W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源击穿电压 900 V - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -