IPB47N10S-33、SPI47N10、IPB47N10S33ATMA1对比区别

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型号 IPB47N10S-33 SPI47N10 IPB47N10S33ATMA1

描述 SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement modeSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorD2PAK N-CH 100V 47A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-262-3-1 TO-263-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 175W (Tc) 175W (Tc) 175 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 47A 47.0 A 47A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 175W (Tc) 175W (Tc) 175W (Tc)

上升时间 23 ns - -

下降时间 15 ns - -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 47.0 A -

输入电容 - 2.50 nF -

栅电荷 - 105 nC -

封装 TO-263-3 TO-262-3-1 TO-263-3

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅

ECCN代码 EAR99 - -