SPI47N10
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPI47N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 47.0 A
极性 N-CH
耗散功率 175W Tc
输入电容 2.50 nF
栅电荷 105 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
耗散功率Max 175W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPI47N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPI47N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI47N10 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 100V 47A 2.5nF | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB47N10S-33 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 100V 47A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode | SPI47N10和IPB47N10S-33的区别 |