IPB47N10S33ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB47N10S33ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 175 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 47A
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
耗散功率Max 175W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPB47N10S33ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB47N10S33ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 100V 47A | 搜索库存 |
替代型号IPB47N10S33ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB47N10S33ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 100V 47A | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 47A | 当前型号 |
| 型号： IPB47N10S-33 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 100V 47A | 类似代替 | SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode | IPB47N10S33ATMA1和IPB47N10S-33的区别 |