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AD712JR-REEL7、AD712JRZ-REEL7、TLE2082ACD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD712JR-REEL7 AD712JRZ-REEL7 TLE2082ACD

描述 双路精密,低成本,高速BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed BiFET Op Amp双路精密,低成本,高速BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed BiFET Op AmpJFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 5 mA 5 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 -

共模抑制比 70 dB 88 dB 70 dB

输入电容 5.50 pF 5.50 pF -

带宽 - 4 MHz 9.40 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 4 MHz 9.4 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ 3.00 TΩ -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 4 mV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

3dB带宽 4 MHz 4 MHz -

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 18 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

输出电流 - - ≤80 mA

耗散功率 - - 0.725 W

输入补偿漂移 - - 2.40 µV/K

增益带宽 - - 10 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -