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MJE703、MJE703G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE703 MJE703G

描述 4.0安培达林顿功率晶体管互补硅40瓦50瓦 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATTON SEMICONDUCTOR  MJE703G  双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 750

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW

封装 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99