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MJE703G

MJE703G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MJE703G  双极晶体管

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJE700, MJE702, MJE703 PNP; and MJE800, MJE802, MJE803 NPN are complementary devices.

Features

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High DC Current Gain -

hFE = 2000 Typ @ IC = 2.0 Adc

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Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication
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Choice of Packages -

MJE700 and MJE800 series

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Pb-Free Packages are Available
MJE703G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE703G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJE703G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJE703G  双极晶体管 搜索库存
替代型号MJE703G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJE703G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225 PNP -80V -4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJE703G  双极晶体管

当前型号

型号： MJE703

品牌： 安森美

封装： TO-225 -80V -4A

完全替代

4.0安培达林顿功率晶体管互补硅40瓦50瓦 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

MJE703G和MJE703的区别

型号： 2N6036G

品牌： 安森美

封装： TO-225-3 PNP -80V -4A 40000mW

类似代替

塑料达林顿互补硅功率晶体管 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

MJE703G和2N6036G的区别

型号： BD680AG

品牌： 安森美

封装： TO-225 PNP -80V -4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD680AG.  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 1 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFE

MJE703G和BD680AG的区别