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ZTX851、ZTX851STZ、ZTX849对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX851 ZTX851STZ ZTX849

描述 ZTX851 系列 NPN 5 A 60 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3ZTX851 系列 60 V 5 A NPN 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3DIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 E-Line-3 E-Line-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 30.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.2 W - 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 30 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @2A, 1V 100 @2A, 1V 100 @1A, 1V

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 1.2 W

直流电流增益(hFE) 200 - 200

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW 1200 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 120 -

频率 130 MHz - -

针脚数 3 - -

增益频宽积 130 MHz - -

封装 TO-92-3 E-Line-3 E-Line-3

长度 4.77 mm - -

宽度 2.41 mm - -

高度 4.01 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -