FQP5N40、SPA04N80C3、FQP33N10对比区别

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型号 FQP5N40 SPA04N80C3 FQP33N10

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 1.60 Ω 1.1 Ω 0.052 Ω

耗散功率 70W (Tc) 38 W 127 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 400 V 800 V 100 V

上升时间 - 15 ns 195 ns

输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 1150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 38 W 127 W

下降时间 - 12 ns 110 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 38W (Tc) 127 W

额定电压(DC) 400 V 800 V -

额定电流 4.50 A 4.00 A -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 400 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.00 A -

额定功率 - 38 W -

长度 - 10.65 mm 10.67 mm

宽度 - 4.85 mm 4.83 mm

高度 - 16.15 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -