
额定电压DC 400 V
额定电流 4.50 A
漏源极电阻 1.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70W Tc
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 460pF @25VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQP5N40 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 400V 4.5A 1.6ohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: SPA04N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQP5N40和SPA04N80C3的区别 | |
型号: FQP6N90C 品牌: 安森美 封装: TO-220 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP6N90C, 6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装 | FQP5N40和FQP6N90C的区别 | |
型号: FQP6N80C 品牌: 安森美 封装: TO-220 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装 | FQP5N40和FQP6N80C的区别 |