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MSB92T1、MSB92T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSB92T1 MSB92T1G

描述 PNP硅通用高电压晶体管这PNP硅平面晶体管是专为通用放大器应用。特点这些器件是无铅PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

耗散功率 - 150 mW

增益频宽积 - 50 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.5 mm

高度 - 1.09 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99