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MSB92T1G

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 150mA 50MHz 150mW Surface Mount SC-59


立创商城:
MSB92T1G


得捷:
TRANS PNP 300V 0.15A SC59


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 300V


艾睿:
Implement this PNP MSB92T1G GP BJT from ON Semiconductor to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
TRANS PNP 300V 0.15A SC-59


MSB92T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MSB92T1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MSB92T1G ON Semiconductor 安森美 PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 搜索库存
替代型号MSB92T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MSB92T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 PNP -300V -500mA

当前型号

PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

当前型号

型号: MSB92T1

品牌: 安森美

封装: SOT-23/SC-59 PNP -300V -500mA

完全替代

PNP硅通用高电压晶体管这PNP硅平面晶体管是专为通用放大器应用。特点这些器件是无铅

MSB92T1G和MSB92T1的区别