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LM285DG4-1-2、LM285DR-1-2、LM285D-1.2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285DG4-1-2 LM285DR-1-2 LM285D-1.2G

描述 1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。TEXAS INSTRUMENTS  LM285DR-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  LM285D-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - - 10.0 A

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) 1.247 V 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 12 mV 1 % 1 %

额定电压 1.235 V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 ±20 ppm/℃ ±20 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99