2SK3019TL、RSR025N03TL、2N7002ET3G对比区别
型号 2SK3019TL RSR025N03TL 2N7002ET3G
描述 ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 VROHM RSR025N03TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V小信号N沟道SOT-23-3封装场效应管
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 100 mA 2.50 A -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 13 Ω 0.07 Ω 2.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 mW 1 W 300 mW
阈值电压 1.5 V 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 100 mA 2.50 A 310 mA
上升时间 35 ns 10 ns 1.2 ns
输入电容(Ciss) 13pF @5V(Vds) 165pF @10V(Vds) 26.7pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 mW 1 W 300 mW
下降时间 80 ns 5 ns 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 150mW (Ta) 1W (Ta) 300 mW
长度 1.6 mm - 2.9 mm
宽度 0.8 mm - 1.3 mm
高度 0.7 mm 0.95 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99