71V35761S200PFG、IDT71V35761YS200PF、IDT71V35761S200PF对比区别

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型号 71V35761S200PFG IDT71V35761YS200PF IDT71V35761S200PF

描述 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100128K ×36 ， 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ，流水线突发输出计数器，单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect128K ×36 ， 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ，流水线突发输出计数器，单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

引脚数 100 - -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

供电电流 360 mA - -

存取时间 3.1 ns - -

存取时间(Max) 3.1 ns - -

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

长度 20.0 mm - -

宽度 14.0 mm - -

厚度 1.40 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 3A991