
供电电流 360 mA
存取时间 3.1 ns
存取时间Max 3.1 ns
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
长度 20.0 mm
宽度 14.0 mm
封装 TQFP-100
厚度 1.40 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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71V35761S200PFG | Integrated Device Technology 艾迪悌 | Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 71V35761S200PFG 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: TQFP 100Pin | 当前型号 | Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 | 当前型号 | |
型号: 71V35761S200PFG8 品牌: 艾迪悌 封装: TQFP 100Pin | 完全替代 | IC SRAM 4.5Mbit 200MHz 100TQFP | 71V35761S200PFG和71V35761S200PFG8的区别 | |
型号: IS61LPS12836A-200TQLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 125000B 3.3V 5ns 100Pin | 类似代替 | SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 100Pin TQFP | 71V35761S200PFG和IS61LPS12836A-200TQLI的区别 | |
型号: IDT71V35761S200PF 品牌: 艾迪悌 封装: LQFP | 类似代替 | 128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流水线突发输出计数器,单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect | 71V35761S200PFG和IDT71V35761S200PF的区别 |