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TIP112G、TIP41CG、TIP112TU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP112G TIP41CG TIP112TU

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP112G  达林顿双极晶体管NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 6.00 A 2.00 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 50 W 65 W 50 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 62.5℃/W (RθJA) 1.67℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 2A 6A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @1A, 4V 15 @3A, 4V 1000 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 1000 3 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 50 W

额定功率 - - 2 W

输出电压 100 V - -

输出电流 2 A - -

输入电压 5 V - -

长度 10.28 mm 10.28 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99