BC846BM3T5G、NST846BF3T5G、LBC846BLT1G对比区别

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型号 BC846BM3T5G NST846BF3T5G LBC846BLT1G

描述 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN通用晶体管 NPN General Purpose TransistorLBC846BLT1G

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-723-3 SOT-1123-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 100 mA - -

额定功率 0.265 W - 225 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 265 mW 347 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200

额定功率(Max) 265 mW 290 mW -

直流电流增益(hFE) 200 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 265 mW 347 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 450

长度 1.25 mm 0.6 mm -

宽度 0.85 mm 0.8 mm -

高度 0.55 mm 0.37 mm -

封装 SOT-723-3 SOT-1123-3 SOT-23

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - 8000 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -