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BSZ240N12NS3G、BSZ240N12NS3GATMA1、BSC190N12NS3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSZ240N12NS3G BSZ240N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3G

描述 OptiMOSTM 3功率三极管 OptiMOSTM 3 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 VOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 PG-TSDSON-8 TSDSON -

引脚数 - 8 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 120 V 120 V -

连续漏极电流(Ids) 37A 37A -

上升时间 4 ns 4 ns -

下降时间 4 ns 4 ns -

额定功率 - 66 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.021 Ω -

耗散功率 - 66 W -

阈值电压 - 3 V -

输入电容(Ciss) - 1400pF @60V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 66000 mW -

封装 PG-TSDSON-8 TSDSON -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free