BSZ240N12NS3G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSZ240N12NS3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 4 ns
下降时间 4 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TSDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TSDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSZ240N12NS3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSZ240N12NS3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSZ240N12NS3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOSTM 3功率三极管 OptiMOSTM 3 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSZ240N12NS3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSZ240N12NS3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TSDSON-8 N-CH 120V 37A | 当前型号 | OptiMOSTM 3功率三极管 OptiMOSTM 3 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： BSZ240N12NS3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TSDSON N-CH 120V 37A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V | BSZ240N12NS3G和BSZ240N12NS3GATMA1的区别 |
| 型号： BSC240N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor | BSZ240N12NS3G和BSC240N12NS3G的区别 |
| 型号： BSC190N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | BSZ240N12NS3G和BSC190N12NS3G的区别 |