额定功率 66 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-CH
耗散功率 66 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1400pF @60VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66000 mW
引脚数 8
封装 TSDSON
封装 TSDSON
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSZ240N12NS3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSZ240N12NS3GATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TSDSON N-CH 120V 37A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： BSZ240N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： PG-TSDSON-8 N-CH 120V 37A | 类似代替 | OptiMOSTM 3功率三极管 OptiMOSTM 3 Power-Transistor | BSZ240N12NS3GATMA1和BSZ240N12NS3G的区别 |
| 型号： BSC240N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor | BSZ240N12NS3GATMA1和BSC240N12NS3G的区别 |
| 型号： BSC190N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | BSZ240N12NS3GATMA1和BSC190N12NS3G的区别 |
