TPS7201QDR、TPS7201QDRG4、TPS7201QD对比区别

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型号 TPS7201QDR TPS7201QDRG4 TPS7201QD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TPS7201QDR  电压稳压器, LDO, 可调, 3V至10V输入, 190mV压差, 1.2V至9.75V/250mA输出, SOIC-8微功耗低压差（ LDO）稳压器 MICROPOWER LOW-DROPOUT (LDO) VOLTAGE REGULATORSPMOS稳压器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 10.0V (max) - 10.0V (max)

输出电压 1.2V ~ 9.75V 1.2V ~ 9.75V 1.2V ~ 9.75V

输出电流 250 mA 250 mA 250 mA

供电电流 80 µA - -

针脚数 8 - -

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

静态电流 0.18 mA 180 µA 0.18 mA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 0.19V @250mA 0.19V @250mA 0.19V @250mA

调节输出数 1 1 1

输入电压(Max) 10 V 10 V 10 V

输入电压(Min) 3 V 3 V 3 V

输出电压(Max) 9.75 V - 9.75 V

输出电压(Min) 1.2 V - 1.2 V

输出电流(Max) 0.25 A 0.25 A 0.25 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

精度 ±3 % ±3 % ±3 %

输入电压 3V ~ 10V 3V ~ 10V 3V ~ 10V

额定功率 - - 0.464 W

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15