CSD18503KCS、CSD18504KCS、CSD18510KCS对比区别

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型号 CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KCS

描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

安装方式 Through Hole Through Hole -

耗散功率 188 W 93 W 250 W

上升时间 5.3 ns 5.2 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 3150pF @20V(Vds) 1800pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds)

下降时间 6.8 ns 4.2 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 188W (Tc) 115W (Tc) 250000 mW

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0055 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

阈值电压 - 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100A -

额定功率(Max) - 93 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.51 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -