BD13910STU、BD139G、BD13910S对比区别
描述 ON Semiconductor BD13910STU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 SOT-23 (TO-236)封装PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管BD139 系列 80 V 1.5 A NPN 外延硅晶体管 - TO-126
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 1.50 A 1.50 A
针脚数 3 3 -
极性 - NPN NPN
耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 25 63 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) 63 40 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1.25 W
最大电流放大倍数(hFE) - - 160
长度 8.3 mm 7.74 mm 8 mm
宽度 3.45 mm 2.66 mm 3.25 mm
高度 11.2 mm 11.04 mm 1.5 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99