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BQ4010MA-85、M48Z58-70PC1、DS1225AD-200+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4010MA-85 M48Z58-70PC1 DS1225AD-200+

描述 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z58-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64KMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

电容 - 10 pF -

供电电流 50 mA 50 mA 75 mA

针脚数 - 28 28

时钟频率 85.0 GHz 1 MHz 200 GHz

存取时间 85 ns 70 ns 200 ns

内存容量 64000 B 8000 B 8000 B

存取时间(Max) 85 ns 70 ns 200 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.5 V

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

长度 37.72 mm 39.88 mm 39.37 mm

宽度 18.42 mm 18.34 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 8.89 mm 9.35 mm

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -