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BQ4010MA-85

BQ4010MA-85

TI(德州仪器) 电子元器件分类

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb(8K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP


贸泽:
NVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


BQ4010MA-85中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85 ns

内存容量 64000 B

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 37.72 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BQ4010MA-85引脚图与封装图
BQ4010MA-85引脚图

BQ4010MA-85引脚图

BQ4010MA-85封装图

BQ4010MA-85封装图

BQ4010MA-85封装焊盘图

BQ4010MA-85封装焊盘图

在线购买BQ4010MA-85
型号 制造商 描述 购买
BQ4010MA-85 TI 德州仪器 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM 搜索库存
替代型号BQ4010MA-85
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BQ4010MA-85

品牌: TI 德州仪器

封装: DIP 64000B 5V 85ns 28Pin

当前型号

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

当前型号

型号: BQ4010YMA-85

品牌: 德州仪器

封装: 28-DIP 5V 85ns

类似代替

为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

BQ4010MA-85和BQ4010YMA-85的区别

型号: BQ4010YMA-85N

品牌: 德州仪器

封装: DIP 5V 85ns

类似代替

为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

BQ4010MA-85和BQ4010YMA-85N的区别

型号: M48Z58-70PC1

品牌: 意法半导体

封装: DIP 8000B 5V 70ns 28Pin

功能相似

STMICROELECTRONICS  M48Z58-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K

BQ4010MA-85和M48Z58-70PC1的区别