电源电压DC 5.00 V
供电电流 50 mA
时钟频率 85.0 GHz
存取时间 85 ns
内存容量 64000 B
存取时间Max 85 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
长度 37.72 mm
宽度 18.42 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
BQ4010MA-85引脚图
BQ4010MA-85封装图
BQ4010MA-85封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BQ4010MA-85 | TI 德州仪器 | 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BQ4010MA-85 品牌: TI 德州仪器 封装: DIP 64000B 5V 85ns 28Pin | 当前型号 | 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM | 当前型号 | |
型号: BQ4010YMA-85 品牌: 德州仪器 封装: 28-DIP 5V 85ns | 类似代替 | 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | BQ4010MA-85和BQ4010YMA-85的区别 | |
型号: BQ4010YMA-85N 品牌: 德州仪器 封装: DIP 5V 85ns | 类似代替 | 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | BQ4010MA-85和BQ4010YMA-85N的区别 | |
型号: M48Z58-70PC1 品牌: 意法半导体 封装: DIP 8000B 5V 70ns 28Pin | 功能相似 | STMICROELECTRONICS M48Z58-70PC1 芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K | BQ4010MA-85和M48Z58-70PC1的区别 |