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THS4120CDR、THS4120ID、THS4120IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4120CDR THS4120ID THS4120IDR

描述 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown3.3V,100MHz,43V/us,全差分CMOS运放(带关断功能)高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 100mA @3.3V 100mA @3.3V 100mA @3.3V

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1.02 W 1.02 W

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs 55.0 V/μs 55.0 V/μs

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 1.2 pA 1.2 pA 1.2 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 60dB ~ 75dB 64 dB 60dB ~ 75dB

通道数 - 1 1

共模抑制比 - 64 dB 64 dB

输入补偿漂移 - 25.0 µV/K 25.0 µV/K

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

可用通道 - S S

电源电压(Max) - 3.5 V -

电源电压(Min) - 3 V -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free