输出电流 100mA @3.3V
供电电流 11 mA
电路数 1
耗散功率 1020 mW
带宽 100 MHz
转换速率 55.0 V/μs
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 1.2 pA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
3dB带宽 100 MHz
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 60dB ~ 75dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4120CDR引脚图
THS4120CDR封装图
THS4120CDR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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THS4120CDR | TI 德州仪器 | 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: THS4120CDR 品牌: TI 德州仪器 封装: 8-SOIC 8Pin 55V/us | 当前型号 | 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown | 当前型号 | |
型号: THS4120CD 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 8Pin 55V/us 1Channel | 完全替代 | 3.3V,100MHZ全差分满幅度输出运放 | THS4120CDR和THS4120CD的区别 | |
型号: THS4120ID 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 8Pin 55V/us 1Channel | 类似代替 | 3.3V,100MHz,43V/us,全差分CMOS运放带关断功能 | THS4120CDR和THS4120ID的区别 |