FDN360P、IRLML5203TRPBF、SI2307CDS-T1-E3对比区别

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型号 FDN360P IRLML5203TRPBF SI2307CDS-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN360P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 VP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -2.00 A - -

额定功率 500 mW 1.25 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.08 Ω 0.098 Ω 880 mΩ

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 500 mW 1.25 W 1.1 W

阈值电压 20 V 2.5 V -

输入电容 298 pF 510 pF -

栅电荷 6.20 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 3A 2.7A

上升时间 13 ns 18 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 298pF @15V(Vds) 510pF @25V(Vds) 340pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 1.25 W 1.1 W

下降时间 13 ns 52 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W 1.25W (Ta) 1100 mW

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.02 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -