FDN360P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN360P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.00 A
额定功率 500 mW
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 20 V
输入电容 298 pF
栅电荷 6.20 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 298pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDN360P引脚图与封装图
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在线购买FDN360P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN360P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDN360P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN360P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -30V 2A 80mohms 298pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V | 当前型号 |
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