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IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF

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Infineon(英飞凌) 分立器件

P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

P 通道功率 MOSFET 30V，

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRLML5203TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.25 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.098 Ω

极性 P-CH

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 510 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Load Switch, 消费, DC Switches, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Consumer Electronics, 便携式器材, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRLML5203TRPBF引脚图与封装图
IRLML5203TRPBF引脚图

IRLML5203TRPBF引脚图

IRLML5203TRPBF封装焊盘图

IRLML5203TRPBF封装焊盘图

在线购买IRLML5203TRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRLML5203TRPBF Infineon 英飞凌 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存
替代型号IRLML5203TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRLML5203TRPBF

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 P-CH 30V 3A

当前型号

P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

当前型号

型号： IRLML5203

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 P-CH 30V 3A

完全替代

INFINEON  IRLML5203  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V

IRLML5203TRPBF和IRLML5203的区别

型号： IRLML5203GTRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel 30V 0.76A

类似代替

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLML5203TRPBF和IRLML5203GTRPBF的区别

型号： FDN360P

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23 P-Channel -30V 2A 80mohms 298pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN360P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V

IRLML5203TRPBF和FDN360P的区别